三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。花旗和摩根士丹利等全球投行预计DRAM平均售价（ASP）将上涨25-26%。

这种需求的激增是由像谷歌、微软、亚马逊、Meta和OpenAI这样的科技巨头推动的，它们向AI数据中心投入了数万亿到数千亿韩元的资金，这推动了高性能DRAM，如HBM（高带宽内存）的需求。预计到2030年，HBM市场的规模将增长两倍，达到1000亿美元。盈利能力也在增加，即将推出的HBM4（第六代）价格比HBM3E高出60%。由于HBM的生产复杂性，供应限制预计明年将恶化。

此外，随着AI趋势转向推理应用，通用型DRAM的需求也在增长，因为它相比HBM提供了更低的功耗和更快速的数据处理速度。像英伟达这样的公司正在专注于高级内存技术，如GDDR7和LPDDR5X，以用于人工智能加速器。DRAM和NAND闪存的价格上涨预计将持续到2026年，花旗预计DRAM ASP将同比上涨37%，NAND闪存将同比上涨39%。

报道称，由于担心DRAM短缺，几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议，与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。

调研机构TrendForce的报告也印证了这一点，内存现货市场正经历一轮迅猛的涨价潮。由于买家为对冲未来涨价风险而积极备货，DRAM和 NAND闪存现货市场加价趋势明显，各类容量的晶圆价格普遍上涨，市场看涨情绪浓厚。

在DRAM现货市场，交易势头持续增强。尽管消费电子产品的终端需求并未显著复苏，但市场普遍预期价格将持续大幅上涨。因此，买家为维持安全库存水平而积极备货，这种避险需求显著提升了DDR4和DDR5产品的成交量。

受此影响，持有库存的模组厂也开始惜售，从而进一步快速推高价格。主流DDR4芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上周的7.219美元涨至7.931美元，周环比涨幅高达9.86%。

NAND闪存现货市场的涨势更为猛烈。由于供应商持续上调报价，本周各容量晶圆的平均价格涨幅达到了15%至20%。供应端目前普遍采取惜售和控货策略，报价大多集中在高位，市场上的低价货源几乎消失。尽管买家积极提高目标价求购，但由于供应有限，实际成交量仍然不高。

具体来看，512Gb和1Tb TLC晶圆的价格上涨最为明显。其中，512Gb TLC晶圆的现货价格本周飙升27.96%，达到4.576美元。当前，市场普遍认为2025年第四季度价格仍有上涨空间。