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2040年芯片制程将突破0.2nm

2025-12-29

12月29日消息,韩国半导体工程师学会(The Institute of Semiconductor Engineers)在其发布的《2026年半导体技术路线图》中,公布了未来15年硅基半导体技术的发展预测。

三星近期才推出全球首款采用2nm全环绕栅极(GAA)工艺的芯片 ——Exynos2600,而路线图预测,到2040年半导体电路制程将突破至0.2nm,正式迈入埃米时代。不过,从当前到未来的十五年多时间里,行业需实现跨越式突破,通往亚1纳米晶圆制程的道路上,仍横亘着诸多瓶颈与阻碍。

据报道,该技术路线图的制定目的在于助力提升半导体领域的长期技术与产业竞争力、推动学术研究创新、完善人才培养战略。韩国半导体工程师学会发布的这份路线图,涵盖九大核心技术领域,具体包括:半导体器件与工艺、人工智能半导体、光互连半导体、无线互连半导体传感器、有线互连半导体、功率集成电路模块、先进封装以及量子计算。

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据悉,三星电子已经规划了2nm GAA的升级版本,不仅完成了第二代2nm GAA工艺节点的基础设计,还计划在两年内落地第三代2nm GAA技术,即SF2P+工艺。路线图预计,到2040年,0.2nm制程将采用CFET这一全新晶体管架构,并搭配单片式3D设计。

三星已组建专项团队,启动1纳米芯片的研发工作,目标在2029年实现量产。这些制程工艺的升级成果,不仅将应用于SoC,还将覆盖DRAM领域,其存储电路制程将从11纳米缩减至6纳米;HBM也将迎来技术迭代,堆叠层数从12层提升至30层,带宽则从2TB/s跃升至128TB/s。

在NAND闪存领域,SK海力士已研发出321层QLC技术,而根据路线图预测,未来半导体技术的进步将推动QLC NAND闪存的堆叠层数突破至2000层。

在人工智能处理器方面,当前芯片的运算能力可达每秒10万亿次操作(10 TOPS),而这份报告指出,十五年后,用于模型训练的AI芯片运算能力有望达到每秒1000万亿次操作(1000 TOPS),用于推理任务的芯片运算能力也将提升至每秒100万亿次操作(100 TOPS)。

值得一提的是,韩国产业通商资源部近日表示,政府明年将投入7000亿韩元(约合4.78亿美元),支持制造业的人工智能(AI)转型项目,包括设备上AI芯片的开发和AI工厂的出口。由政府主导的制造业人工智能转型企业和团体组成的“制造业人工智能联盟(M.AX)”,在第一次总会上公布了明年的五大项目。

这些项目包括开发机器人、汽车和人工智能工厂的AI模型、开发设备上的AI芯片、促进人工智能工厂的出口。具体来说,政府计划到2030年至少投资1000亿韩元,用于建立制造业的AI数据库,到2032年再投资7000亿韩元,用于开发人工智能工厂、未来移动、AI机器人的定制AI模型。

该联盟的目标是开发用于汽车、机器人、家电的设备上AI芯片,到2028年发布试验产品,到2030年开发出10种AI半导体。具体目标是2029年实现人形机器人的量产,2030年实现自动驾驶汽车的量产,并希望通过核心制造业的人工智能转型,到2030年创造100万亿韩元以上的附加价值。

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2025年9月第一期

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