陈伟教授是美国发明科学院院士、英国皇家化学学会会士，现任西交利物浦大学芯片学院院长、教授，入选《全球前2%顶尖科学家榜单2024》“年度科学影响力”和“终身科学影响力”双榜单。

陈教授将深入分析异质集成面临的五大核心挑战：材料兼容性、界面问题、热管理、成本控制以及可靠性保障。他将分享一系列创新解决方案，包括材料选择策略、界面工程技术、模拟测试方法以及热管理优化方案，为行业提供应对这些挑战的系统性思路。

王晨曦教授是哈尔滨工业大学教授、博士生导师，日本东京大学博士，国家级一流课程负责人。曾获日本学术振兴会特别研究员资助，参与JST-CREST重大项目。

王教授团队创新开发了二元协同表面活化方法，实现了硅与非硅材料、第三代半导体及光学晶体间的异质键合，在低温条件（≤200℃）下形成超薄异质键合界面。该技术已成功应用于纳米/化学/生物芯片和高灵敏中红外传感器开发，为三维异质集成提供了坚实技术支撑。

王宏兴教授是西安交通大学电子与信息工程学院宽禁带半导体研究所教授，拥有多年日本科研与企业经验，发表论文160余篇，持有专利120余项。

金刚石半导体因其超宽禁带（5.5 eV）、高击穿场强（10 MV/cm）、高载流子迁移率和优异热导率等特性，成为高性能、高频电子应用的理想材料。王教授将分享英寸级单晶金刚石外延生长、高质量薄膜与掺杂技术的最新进展，以及射频FET、肖特基二极管和功率器件的开发成果。

王鑫华研究员是中国科学院微电子研究所高频高压中心主任、国家高层次青年拔尖人才，长期致力于宽禁带半导体器件与异质集成研究。

他带领团队研制了国内首台集簇式GaN低界面态介质生长系统，在等离子体高温表面修饰技术、高温介质钝化技术和碳基异质融合技术等方面实现重要突破。曾获2022年度中国电子学会自然科学奖二等奖和中国仪器仪表学会技术发明二等奖。