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8 英寸高性能沟槽栅 SiC MOSFET 芯片工艺平台流片成功 华海清科首台 12 英寸低温离子注入机成功出机

6 月 27 日，国家第三代半导体技术创新中心深圳平台 沟槽栅 SiC MOSFET 芯片流片成功。其核心发明专利（专 7 月 14 日，华海清科股份有限公司全资子公司芯嵛 龙头企业。这不仅标志着我国在高端离子注入装备领域取
（深圳平湖实验室）宣布联合深圳市鹏进高科技有限公司， 利公开号 ：CN118610269A）已经获得授权。 半导体（上海）有限公司自主研发的首台 12 英寸低温离 得重大突破，更意味着华海清科成功实现 面向先进制程
在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破，成功攻 这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件 子注入机 iPUMA-LT 顺利出机，交付国内逻辑芯片制造 的大束流离子注入机全型号国产化覆盖，为芯片制造自主
克 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET 芯片的核心技术难题，构建 研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、 可控再添关键拼图。
了 8 英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能 1200V 工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。
iPUMA-LT 不仅继承了最新一代大束流离子注入机
iPUMA-LE 的先进设计，在拥有更大束流、更好均匀性
及更精准角度控制的同时，采用了耐低温静电载盘技术，
以全套自主研发的国产化温控系统，成功实现了工艺温度
的精准闭环控制，其性能已达到国际主流工艺水平。

来源：深圳平湖实验室微信公众号
8 英寸高性能沟槽栅 SiC MOSFET 结构（专利）示意图及芯片剖面图

来源：华海清科微信公众号
中国团队推出全球首款可编程全光信号处理芯片

7 月 9 日，据 scitechdaily 报道，由华中科技大学、上 维持光信号状态，迈向无需交换器的高速运算新构架。

海交通大学、电子科技大学和南开大学等机构组成的中国研 该研究团队已经实现了先进的集成滤波器，带宽可以
麻省理工学院推出氮化镓与硅芯片 3D 集成新技术
究团队，近日成功研制出全球首款可编程的单芯片全光信号 从 0.55 pm 调谐到 648.72 pm（即调谐超过三个数量级），
处理（All-Optical Signal Processing，AOSP）芯片，可 FSR 可以从 0.06 nm 调谐到 1.86 nm（30 倍）。绝对 FWM
支持光滤波、信号再生和逻辑运算，打破传统硅光子需“光 转换效率已被证明高达 12dB，这种高效率对于确保高性能
- 电 - 光（O-E-O）”转换的限制，让数据从输入到输出全程 逻辑和再生操作的成功至关重要。

来源：IT 之家网站
来源：外国媒体 SciTechDaily
带电气和光学接口的封装八通道 AOSP 芯片

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