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 6 月 20 日,麻省理工学院(MIT)的研究团队开发出一种低  特性,被广泛用于雷达、电源电子等领域。然而,其高昂成本及
 成本、可扩展的制造技术,可将高性能氮化镓(GaN)晶体管集  与硅基芯片的兼容性难题,长期限制了商业化应用。MIT 团队为
 成到标准硅芯片上,从而提升高频应用(如视频通话、实时深度  此提出了新制造方案,在氮化镓晶圆表面密集制造微型晶体管,
 学习)的性能表现,预计可实现 30%-50% 的性能跃升。  切割成仅 240×410 微米的独立单元(称“dielet”),再通过铜柱
 氮化镓是继硅之后全球第二大半导体材料,因其高频、高效  低温键合技术,精准嵌入硅互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片。




 澳大利亚发布全球首款量子技术芯片



 6 月 30 日,澳大利亚悉尼大学与新南威尔士大学的研  通过操控单个电子的磁方向编码信息。这一技术路线具有
 究团队在量子计算领域取得里程碑式突破——他们成功开  两大核心优势 :一是自旋量子比特与主流 CMOS 半导体
 发出全球首个在低温环境下可精准控制“百万量级量子比  工艺兼容,易于规模化生产 ;二是其量子态在极低温下稳
 特”的芯片,相关成果发表于《Nature》期刊,为实用  定性显著提升。实验中,芯片在毫开尔文温度(略高于绝
 化量子计算机的构建开辟了新路径。  对零度 -273.15℃)下运行,这一温度接近物质运动的极
 研究团队研制的新型芯片基于自旋量子比特技术,     限,确保了量子比特的相干性。














 来源:全球半导体观察网站






 电子 - 光子 - 量子一体化芯片系统诞生



 7 月 17 日,从中国科学院官网获悉,据最新一期  45 纳米半导体制造工艺。其为批量化生产“量子光工厂”
 《Nature Electronics》杂志报道,美国波士顿大学、加  芯片、构建大规模量子系统奠定了基础。
 州大学伯克利分校和西北大学团队联合,开发出全球首个  团队表示,在可扩展量子技术的发展历程中,这是关
 电子—光子—量子一体化芯片系统。这是首次在一块芯片  键一步,它表明人们可以在商用半导体工厂中构建可重复、
 上集成了量子光源与稳定控制电子电路,并采用标准的  可控的量子系统。















 来源:科技日报


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