Page 45 - 半导体视界

06 技术纵横 — 技术深度 Technology Panorama — Technical Depth 半导体视界 SEMICONDUCTOR HORIZONS 半导体视界 SEMICONDUCTOR HORIZONS 技术纵横 — 应用前沿 Technology Panorama — Applied Frontiers 06

华工科技联合中科大突破半导体激光退火关键技术 自主芯品密集落地 前沿应用多点开花

从计算到光量子 ：中国芯的力量

文 / 田也 中国国际科技促进会半导体产业发展分会 宣传部主任

Independent Chip Products Roll Out Intensively, Frontier Applications Flourish Across
Multiple Points

From Computing to Photonic Quantum: The Power of China’s Chips

来源：华工科技微信公众号
https://mp.weixin.qq.com/s/KIbhYIGQCc2J_8mOKzp44Q
By Tian Ye, Director of the Propaganda Department of the Development Of Semiconductor Industrial Branch of the
China International Association for Promotion of Science and Technology

7 月 10 日，华工科技宣布华工科技中央研究院与中国科 认可。
学技术大学合作开展的宽禁带化合物半导体激光退火研究取得 研究团队通过高能量紫外脉冲激光作用于碳化硅（SiC）晶
重大进展，由中国科学技术大学李家文教授为通讯作者，华工 体及金属表面，首次系统及深刻地揭示了不同紫外激光脉宽下
本期《技术纵横——应用前沿》聚焦于 2025年夏季国内外半导体与信息技术在应用层面的创
科技中央研究院半导体项目技术负责人黄伟博士为共同通讯作 调控宽禁带化合物半导体器件电学性能的原理和方法，通过软
新突破与产业化进展，展现出从底层芯片到系统方案的全面技术落地能力。
者 所 著 的 论 文《Numerical simulation and experimental 件仿真了解紫外脉冲激光在金属镍（Ni）薄膜和 SiC 中热扩散
investigation of laser pulse duration effects on Ni/SiC 机理和路径，再依托华工科技自主研发的全自动 SiC 晶圆激光 南芯科技推出 190V压电驱动芯片 SC3601，实现移动终端液冷散热技术自主化；上海光机
ohmic contacts during ultraviolet laser annealing》 在 国 退火装备实现工艺落地，完成 Ni/SiC 器件的欧姆接触退火测试， 所研制全球首颗超高并行光计算芯片“流量一号”，算力对标国际顶级 GPU；深光谷科技推出玻
际知名学术期刊《Optics and Laser Technology》正式发表， 并得到行业内较好水准的器件性能参数，为激光退火技术在化
璃基双四芯 3D波导芯片，支撑 800G/1.6T光模块升级。龙芯 3C6000发布标志着国产通用处理
标志着我国在半导体激光制程领域的基础研究获得国际学术界 合物半导体的量产应用提供了理论依据与工艺范式。
器实现全链路自主可控；深圳平台突破 8英寸沟槽栅 SiC MOSFET工艺，为新能源与工业应用提
供“中国芯”动力……
这些成果不仅体现了中国在半导体应用领域的快速追赶与创新实力，更展现出从跟跑到并跑
LG Innotek 推出全球首个高端半导体基板铜柱技术 乃至领跑的国际竞争力，为全球数字经济与智能化转型提供关键技术支撑。

Abstract This issue of Technology Panorama — GPUs. Shenzhen Photonics Valley a glass-based dual-
Applied Frontiers focuses on innovative breakthroughs four-core 3D waveguide chip, supporting upgrades of
and industrialization progress in the application layer 800G/1.6T optical modules. The launch of Loongson
of domestic and international semiconductor and 3C6000 marks full-chain self-reliance for China’s general-
information technologies during the summer of 2025, purpose processors. Meanwhile, the Shenzhen Pinghu
highlighting comprehensive technological implementation Laboratory achieved a breakthrough in the 8-inch trench-
capabilities from underlying chips to system-level gate SiC MOSFET process, providing “China-chip” power
来源：电子技术应用网站 solutions. for new energy and industrial applications.
https://m.chinaaet.com/article/3000172450
Southchip launched the 190V piezoelectric drive chip These achievements not only demonstrate China’s
SC3601, achieving independent mobile terminal liquid- rapid catch-up and innovative strength in semiconductor
6 月 25 日，LG Innotek 宣布成功开发出全球首个面 铜柱具有更低的电阻、更高的导热性以及更优的机械强度，
cooling technology. The Shanghai Institute of Optics applications but also highlight its international
向移动半导体基板的铜柱（Cu-post）技术，并已实现量 能够有效提升芯片间的电气连接性能和散热能力，尤其适
and Fine Mechanics developed the world’s first ultra- competitiveness—from following to running alongside and
产应用。这一技术的推出，为智能手机轻薄化设计和高性 用于高性能计算、移动通信、汽车电子等对可靠性和集成
high-parallel optical computing chip, Flow No.1, with even leading—providing key technological support for
能需求提供了创新解决方案。 度要求极高的场景。
computing power comparable to top-tier international the global digital economy and intelligent transformation.
铜的导热性比典型焊接材料高出七倍以上，能够更 据 LG Innotek 介绍，应用该技术后，半导体基板在
快地散发半导体封装中的多余热量。相比传统锡铅焊球， 性能不变的前提下，尺寸最多可缩减 20%。

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