Page 32 - 半导体视界
P. 32

05 产业深探     Industry in-depth exploration                                  半导体视界     SEMICONDUCTOR HORIZONS              半导体视界     SEMICONDUCTOR HORIZONS                                  产业深探     Industry in-depth exploration  05





          当2㎚ 芯片工艺预见 AI 算力革命



          ——半导体产业的技术竞速与商业博弈




          文 / 潘菲,中国国际科技促进会半导体产业发展分会副秘书长


          When 2 ㎚ chip technology foresees an AI computing revolution

          —The technological race and commercial competition in the semiconductor industry


          By Pan fei, Deputy Secretary General of the Development Of Semiconductor Industrial Branch of the China
          International Association for Promotion of Science and Technology

                                                                                                                                 一、制程革命 :2 ㎚ 技术的三重突破

               2025年 6月,台积电在其技术研讨会上首次公开展示了 2㎚制程试产晶圆。这块 300毫米
                                                                                                                                    物理极限的突破
          硅晶圆采用创新的 GAAFET晶体管架构,晶体管密度较 3㎚工艺提升约 45%,功耗降低 30%。                                                                         这场精密制造竞赛中,新竹科学园区,台积电的 2 ㎚ 产线
                                                                                                                                 正在挑战硅基芯片的物理极限。其 FinFET 晶体管架构中,鳍
          据台积电官方披露,2㎚工艺的芯片已进入风险试产阶段,计划 2025年下半年量产,将采用高
                                                                                                                                 片间距缩小至 20 纳米级别,相当于 300 个原子并列的宽度。为
          数值孔径 EUV光刻技术,推动半导体制造进入 20埃米时代。这一突破为下一代 AI芯片提供了                                                                         确保良率,工厂采用新一代极紫外(EUV)光刻机,每台造价
          关键的工艺基础,苹果、英伟达等客户已开始基于该工艺设计新产品。与此同时,日本半导体                                                                              超过 3 亿美元,其激光光源的波长精确到 13.5 纳米。三星采用
                                                                                                                                 全环绕栅极(GAA)技术,在韩国华城工厂实现晶体管导电通
          产业也正加速布局 2㎚技术研发,试图在全球先进制程竞争中重新确立地位。这场展示背后,
                                                                                                                                 道的四面环绕控制 ;英特尔则推出 RibbonFET 架构,通过堆
          是半导体产业全方位的技术竞速。本文将剖析 2㎚制程突破带来的产业连锁反应,揭示 AI算力                                                                           叠纳米片提升电流控制能力。日本经济产业省主导的“半导体
                                                                                                                                 复兴计划”已投入 2 万亿日元,支持 Rapidus 与东京电子等企
          需求如何重塑半导体竞争格局。
                                                                                                                                 业开发 2 ㎚ 工艺配套设备 7。四家巨头企业的研发投入在 2025
                                                                                                                                 年合计超过千亿美元,推动全球半导体设备市场规模突破 1500
                                                                                                                                 亿美元。
           Abstract     In June 2025, TSMC publicly showcased  breakthrough provides a critical process foundation                                                                        架构创新的突围
           its  2㎚  process  trial-production  wafer  for  the  first  for  the  next  generation  of AI  chips,  with  customers                                                         当制程微缩收益递减,架构创新成为算力提升的新引擎。
           time  at  a  technical  seminar.  The  300mm  silicon  such  as  Apple  and  NVIDIA  already  initiating                                                                   2025 年国际固态电路会议(ISSCC)上,台积电展示的存算一
           wafer  employs  an  innovative  GAAFET  transistor  new  product  designs  based  on  this  technology.                                                                    体芯片将 SRAM 存储器与逻辑单元间距缩短 40%,使 AI 推理
           architecture,  achieving  approximately  a  45%  Meanwhile,  Japan’s  semiconductor  industry  is                                                                          能效比提升 5 倍。这种结构创新让芯片在同等制程下获得额外
           increase  in  transistor  density  and  a  30%  reduction  accelerating  its  2㎚  R&D  efforts  in  an  attempt                                                            性能红利。
           in power consumption compared to the 3㎚ process.  to  reassert  its  position  in  the  global  advanced                                                                       在类脑计算领域,IBM 发布的 NorthPole 芯片采用 7nm
           According  to  TSMC’s  official  disclosures,  chips  process  competition.  Behind  this  demonstration                                                                   制程却实现 12 ㎚等效能效,其秘密在于模仿人脑的异步计算
           based  on  the  2㎚  process  have  entered  the  risk-  lies  a  comprehensive  technological  race  within                                                                架构。该芯片在图像识别任务中,功耗仅为传统 GPU 的 1/20,
           production  phase,  with  mass  production  planned  the  semiconductor  sector.  This  report  analyzes                                                                   已应用于自动驾驶实时决策系统。
           for  the  second  half  of  2025.  The  process  will  the  industry-wide  ripple  effects  of  the  2㎚  process
                                                                                                                                                                                          封装技术的跃迁
           utilize  high-numerical-aperture  EUV  lithography  breakthrough  and  examines  how  the  surging
                                                                                                                                                                                          先进封装成为延续摩尔定律的关键。台积电的 SoIC(系
           technology,  marking  the  advent  of  semiconductor  demand  for AI  computing  power  is  reshaping  the
                                                                                                                                                                                      统整合芯片)技术将逻辑芯片和 HBM 内存通过硅通孔(TSV)
           manufacturing  at  the  20-angstrom  scale.  This  semiconductor competitive landscape.
                                                                                                                                                                                      垂直堆叠,互连密度达到传统封装的 100 倍。英特尔则推出
                                                                                                                                                                                      EMIB 技术,用微米级硅桥连接不同制程的芯片模块。这些 3D
                                                                                                                                                                                      封装方案使系统级性能提升 40%,同时降低 30% 的功耗。

          32    Volume 1,lssue 1,2025                                                                                                                                                                           Volume 1,lssue 1,2025       33
   27   28   29   30   31   32   33   34   35   36   37