Page 40 - 半导体视界
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06 技术纵横 — 技术深度    Technology Panorama —  Technical Depth                   半导体视界     SEMICONDUCTOR HORIZONS              半导体视界     SEMICONDUCTOR HORIZONS                 技术纵横 — 技术深度     Technology Panorama — Technical Depth  06





         前沿技术多点突破 原始创新厚积薄发                                                                                                                        岳麓山工业创新中心段曦东团队破局二维半导体

         中国半导体研究与工艺跃迁全球视野




         文 /  田也 , 中国国际科技促进会半导体产业发展分会 , 宣传部主任

         Multiple Breakthroughs in Frontier Technologies, Original Innovations Ready to Emerge

         China’s Semiconductor Research and Process Leap: A Global Perspective




         By Tian Ye, Director of the Propaganda Department of the Development Of Semiconductor Industrial Branch of the                                                                            来源：岳麓山工业创新中心微信公众号
         China International Association for Promotion of Science and Technology

                                                                                                                                     1L-SnS2/2L-WSe2 vdWH 短沟道 FET 的超高 Ion 与超低 Ron 特性
              本期《技术纵横——技术深度》聚焦于 2025年夏季我国半导体与前沿科技领域涌现的一系列
          重大原始创新与关键技术突破，展现出从材料、器件到工艺的全面进展。                                                                                          6 月 12 日， 国 际 权 威 期 刊《Science》 在 线 发 表 岳          1.49×1014  cm–2 的超高二维空穴浓度。高空穴浓度使
              岳麓山实验室段曦东团队于《Science》发表二维半导体超掺杂新策略，突破传统介电极限，                                                                       麓 山 工业 创 新 中心、 湖 南 大 学化 学 化 工 学院、 二 维 材料             p 型 2D 晶体 管展现 出优异 性能， 其最低 源漏 接触电 阻
          为高性能电子器件开辟全新路径；长春应化所开发双自由基分子材料，大幅提升钙钛矿电池效率                                                                             湖 南 省 重 点 实 验 室 段 曦 东 教 授 团 队 完 成 的、 具 有 普适 性        （RC） 低 至 0.041kΩ · μm， 最 高 开 态 电 流 密 度（Ion）
          与稳定性；平煤神马实现 8N8超高纯度碳化硅粉体量产，打破国际垄断。与此同时，深圳平台激                                                                           的栅极调控能带调制超掺杂策略的最新研究成果。                               高达 2.30mA/μm。
          光剥离技术达到国际先进水平，显著降低 SiC器件成本；中山大学研制出高保真度量子纠缠光源，                                                                             段曦东教授团队使用单层二硫化锡（1L-SnS2）与                             研究成果成功实现了 2DSCs 中超高的 n2D，超低
                                                                                                                                 双层二硒化钨（2L-WSe2）构建具有 III 型能带排列的                       RC 与 Ron 以及创纪录的高 Ion。这为调控二维半导体
          为光量子芯片奠定基础；华工科技联合中科大揭示紫外激光退火机理，推动化合物半导体工艺自
                                                                                                                                 范德华异质结构（vdWHs）。背栅偏置电压（Vgs）能                          中的载流子浓度提供了一种超越传统电介质限制的能带
          主化。
                                                                                                                                 够 对 层 间 电 荷 转 移 掺 杂 进 行 有 效 调 制， 实 现 了 超 过典 型        调制掺杂方法，为未来高性能 2D 电子器件的开发开辟了
              这些成果为构建自主可控技术体系和未来产业竞争力提供坚实支撑。
                                                                                                                                 介电击穿的最大静电掺杂极限的超掺杂，获得了高达                              新途径。





            Abstract        This  issue  of Technology  Panorama  ·   achieved mass production of 8N8 ultra-high-purity silicon
            Technology  in  Depth  focuses  on  a  series  of  major   carbide powder, breaking the international monopoly.
            original innovations and key technological breakthroughs   Meanwhile, Shenzhen-based laser lift-off technology                             我国科学家实现新型半导体光伏研发突破
            emerging  in  China’s  semiconductor  and  frontier   reached  internationally  advanced  levels,  markedly
            technology sectors in the summer of 2025, showcasing   reducing the cost of SiC devices; Sun Yat-sen University
            comprehensive progress from materials and devices to   developed a high-fidelity quantum entangled photon
            processes.                                        source, laying the foundation for photonic quantum
                The team led by Duan Xidong at the Yuelushan   chips; Huagong Technology, in collaboration with the
            Laboratory published a new strategy for two-dimensional   University of Science and Technology of China, revealed
            semiconductor hyperdoping in Science, breaking the   the ultraviolet laser annealing mechanism, advancing the
            traditional dielectric limit and opening a new path for   independent development of compound semiconductor
            high-performance electronic devices. The Changchun   processes.
            Institute of Applied Chemistry developed double-radical   These  achievements  provide  solid  support  for
            molecular materials, significantly enhancing the efficiency   building a self-reliant technology system and enhancing
            and stability of perovskite solar cells. Pingmei Shenma   future industrial competitiveness.                                                                                    来源：人民日报海外版 2025 年 07 月 03 日 第 09 版
                                                                                                                                                                                        https://paper.people.com.cn/rmrbhwb/pc/content/202507/03/
                                                                                                                                                                                                    content_30084386.html


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